If≥3.5A，Vr≥25V（如1N5408，If=3A，Vr=1000V）。：P_loss=2A × 0.7V × 2（桥式）=2.8W → 需散热设计。：通用场景选标准二极管（如1N4148），高性能场景选肖特基/TVS。：击穿电压5V，峰值功率600W（如PESD5V0S1BT）。：输入AC 12V，输出DC 5V/2A，桥式整流。：Vf、Vr、If、Trr等核心参数需满足应用需求。：低Vf

LVPECL（低电压正射极耦合逻辑）是PECL（正射极耦合逻辑）的低电压版本，专为现代低功耗、高集成度系统优化，采用3.3V或2.5V供电。其继承了PECL的高速性能，同时通过降低电压减少功耗，广泛应用于高速通信、时钟分配和高可靠性场景。1. 电气特性供电电压：3.3V（主流）、2.5V（部分器件）。电平范围差分摆幅：约600mV（峰峰值），单端摆幅±300mV。共模电压：VCC - 1.3V（如

的基础。

MIPI（移动行业处理器接口）是由MIPI联盟制定的低功耗、高带宽、模块化接口标准，专为移动设备设计，现已扩展至汽车、IoT、医疗等领域。低功耗：动态功耗管理（如ULPS超低功耗状态）。高带宽：MIPI C-PHY 2.0支持11.6 Gsps（符号率），等效带宽达34.8 Gbps（三线制）。抗干扰性：差分信号（D-PHY）或三线制（C-PHY）设计，适应复杂电磁环境。模块化架构：协议层与物理层

（精简介质无关接口）是MII（介质无关接口）的简化版本，旨在减少硬件引脚数量并优化设计复杂度，同时支持10Mbps和100Mbps以太网通信。：新型PHY芯片支持RMII与RGMII切换（如10/100/1000Mbps自适应）。：2位，每个时钟周期传输2比特（100Mbps时，2位×50MHz=100Mbps）。：PLC（可编程逻辑控制器）连接工业以太网（如PROFINET RT）。：支持EEE

NVMe（非易失性内存主机控制器接口规范）是一种基于PCIe总线的高性能存储协议，专为固态硬盘（SSD）设计，旨在替代传统的AHCI协议（如SATA）。低延迟：命令队列深度提升至64K（AHCI仅32），减少I/O等待时间（典型延迟<100μs）。高吞吐量：支持PCIe 4.0 x4带宽（8GB/s），PCIe 5.0 x4可达16GB/s。多队列并行：支持多核CPU并行访问，优化多线程性能。扩展

（Physical Layer，物理层）是以太网协议栈中的最底层（OSI模型第1层），负责在物理介质（如电缆、光纤）上传输和接收原始比特流。：同一PHY芯片可兼容10M/100M/1G/10G等多种速率（如Marvell 88E1512）。支持PoE（以太网供电，IEEE 802.3af/at/bt），通过电缆传输电力（最高90W）。驱动激光器（发送端）或光电二极管（接收端），支持单模/多模光纤传

CML（Current Mode Logic，电流模式逻辑）是一种基于电流驱动的高速差分信号标准，专为10Gbps以上超高速传输设计。其核心原理是通过恒定的尾电流源切换电流路径，生成低摆幅差分信号，广泛应用于光通信、高速SerDes（串行器/解串器）及射频系统。1. 电气特性供电电压：典型值（依工艺和速率优化）。电平范围差分摆幅：约400mV（峰峰值）（单端摆幅±200mV）。共模电压：VCC -

SDIO通过复用SD卡接口实现了灵活的外设扩展，尽管在消费电子领域逐渐被USB替代，但其低功耗、标准化和热插拔特性仍在嵌入式、工业及医疗设备中占据一席之地。开发时需重点关注信号完整性和驱动兼容性，结合具体场景选择SPI或SD模式以平衡性能与成本。